所属学科专业：控制科学与工程、电力电子与电力传动、电气工程

导师简介：

孟昭亮，1987年生，男，博士研究生，硕导。中国电源学会元器件专委会委员兼副秘书长，中国电源学会直流电源委员会委员，陕西省电源学会常务理事，陕西省电源学会人工智能与电源系统学会秘书长，中国中车集团博士后。多年来一直从事自动化、电力电子领域的教学、科研工作，承担多项省、部级项目的研究，2013年以来发表学术论文10余篇，其中被三大检索收录8篇；获陕西省科技进步成果奖1项；曾获得MGM美高梅官网登录1688青年教师讲课比赛二等奖；指导研究生和本科生获得国家级、省级竞赛奖20余项。

主要研究方向：电力电子技术、电力电子器件与功率集成

近年来主要科研项目：

1.大功率IGBT芯片及器件关键技术研究及产业化（省部级，2015.12-2017.12）

2. 3MW风电变流器功率单元研发（省部级，2013.01-2014.12）

3.大功率IGBT功率单元关键技术研究（厅局级，2015.1.1-2016.12.31）

4.大功率风力发电变流器功率单元关键技术研发（省部级，2012.10-2014.09）

5.大功率高集成度SiC MOSFETs IPM关键技术研究（厅局级，2020.1.1-2021.12.31）

近年来主要科研成果：

1.轨道交通中智能测试技术及应用 陕西省人民政府2013年度科学技术二等奖

2.一种IPM模块短路检测电路，ZL201921657080.2

发表论文：

1.A Novel IC Measurement Without Blanking Time for Short-Circuit Protection of High-Power IPM,IEEE ACCESS，vol. 8, pp. 94731-94747, 2020, SCI收录

2.Prediction Method of Driving Strategy of High-Power IGBT Module Based on MEA-BP Neural Network，IEEE ACCESS，vol. 8, pp. 94731-94747, 2020, SCI收录

3.Thermal modeling analysis of the IGBT integration shunt mode，International Future Energy Electronics Conference，EI收录

4.无盲区的大功率IPM设计与电流检测电路优化,半导体技术, 2020,45(07):564-570. CSCD收录

5. SiC MOSFET的短路特性.半导体技术, 2019(5). CSCD收录

6.焊接式IGBT模块结构设计与性能分析.半导体技术, 2018(11):828-832. CSCD收录

联系方式：15129363139

邮箱：mengzhaoliang@xpu.edu.cn